近期，存儲芯片市場迎來了新一輪的漲價潮，多家存儲頭部企業紛紛宣布提高部分產品報價。國內存儲企業也緊跟步伐，紛紛上調提貨價格。在1個月之前，業界還普遍預估存儲芯片價格有望在今年6月份或7月份啟動上漲，如今上漲提前到來，存儲市場是否進入了復蘇期？

各大廠商集體提價底氣來源于源自供需兩端的雙重激勵

2025年5月初，三星與主要客戶就提高DRAM芯片售價達成一致，并表示半導體行業整體DRAM價格都在上漲，這也是三星近一年來首次上調DRAM價格，具體比例因客戶而異，但平均上調率已確定，DDR4將上調20%，DDR5上調約5%；閃迪宣布自4月1日起所有產品提價超過10%；美光不僅表示將針對新訂單提高價格，平均漲幅約11%，還在3月25日發布漲價函，預計此次漲價幅度將在10%~15%；SK海力士也表示，其DDR5和eMMC存儲芯片現貨價格預計將上漲12%左右。

國內存儲企業也緊跟步伐，紛紛上調提貨價格。長江存儲旗下零售品牌致態宣布將于4月起上調提貨價格，漲幅可能超過10%。這一輪價格上漲的速度和幅度均超出了業內原先的預期。在1個月之前，業界還普遍預估存儲芯片價格有望在今年6月份或7月份啟動上漲，如今上漲提前到來，存儲市場是否進入了復蘇期？

專家表示，這一輪漲價潮的主要原因在于存儲芯片市場供需兩端發生了明顯變化。供給端的減產策略與需求端的新興需求崛起，共同推動了市場的復蘇與價格的上漲。

目前，各大企業減產策略成效顯著。2025年年初，由于智能手機和筆記本電腦等核心消費性電子產品出貨量持續低迷，供應商對2025年上半年需求看法并不樂觀，為避免進一步削弱利潤率，美光、鎧俠、閃迪、三星和SK 海力士等NAND Flash大廠紛紛啟動減產計劃。主要通過降低2025年稼動率和延后制程升級等方式達成減產目的。

以美光為例，其在2024財年凈虧損達50.66億美元，為了應對這一困境，美光從2024年9月開始削減NAND Flash閃存產量，并計劃將減產幅度擴大至30%。三星也在2024年11月宣布減產，目標是將NAND Flash芯片產量減少15%~20%。這些減產行動使得市場上NAND Flash的供應量得到有效控制，為產品價格反彈鋪墊了基礎。隨著價格觸底、市場開始補庫存，模組廠和OEM廠開始加大采購，Enterprise SSD回溫更帶動高端Wafer產品需求。集邦的最新調研數據顯示，預計2025年第二季度，NAND Flash價格將比第一季度上漲不超過0%~5%；3D NAND Wafers（多層垂直堆疊閃存晶圓）價格將環比上漲10%~15%；Client SSD（消費級固態硬盤）價格將環比上漲3%~8%。

此外，AI應用的“火力全開”成為驅動存儲芯片市場需求快速提升的關鍵因素。隨著AI技術在各領域的深入應用，對存儲芯片的需求呈現出爆發式增長。特別是在AI服務器領域，需求增長尤為顯著。2024年第二季度全球服務器市場收入達到了454.22億美元，與去年同期相比增長了35%，AI服務器在整體服務器市場中的占比也持續攀升，現已接近30%。

AI服務器是智算中心提供AI計算能力的核心硬件，專為滿足AI計算任務的高性能需求而設計。AI大模型需要用海量的數據進行訓練、推理等，對數據進行深度挖掘后，再推送給通用數據中心，數據規模、數據調配工序將呈現爆發式增長，數據中心內部流量傳輸將更加密集，因此，對存儲產品的需求也越來越高。

是德科技大中華區高速數字市場部經理李堅表示：“原來的人工智能做到是小算力、小模型，后來變成了中算力、中模型，而今天行業內做的是真正的大模型、大算力，大算力的一個非?；A的要求就是大帶寬、大量的數據交換。存儲方面，數據中心一般使用的DDR4、DDR5系列產品，速率在8.4GT/s。我們預計未來會上升到DDR6或DDR7。此外，我們很可能會使用HBM3、HBM3E或HBM4。和今天的DDR產品相比，會有一個數量級的提升?！?/p>

不僅如此，AI在智能手機、個人電腦、智能穿戴等領域的加速滲透，也進一步推動了對更高容量和更高性能存儲芯片的需求。目前AI手機的DRAM配置已提升至16GB，AI個人電腦設備的內存容量也普遍已經達到32GB。此外，智能汽車有望引入開源大模型，也將進一步提升存儲需求，這些都成為了存儲市場復蘇的關鍵推動力。

存儲市場周期性與結構性變化交織

回顧過去幾年，存儲市場歷經從下行周期到復蘇的復雜歷程。自2021年第三季度起，存儲市場遭受重創，DRAM價格下跌57%，NAND價格同期下跌55%。這一時期，存儲芯片產業陷入長達近兩年的下行周期。市場下行主要源于供應商生產過剩，以及市場需求衰退，使得存儲芯片市場供需失衡嚴重。加上全球經濟環境的不確定性、消費電子市場的飽和，進一步沖擊終端設備銷量。2022年，全球智能手機出貨量為12.1億部，同比下降11.3%；全球PC出貨量為2.92億臺，同比下降28.5%，創下自2009年以來的最大年度跌幅。

為扭轉局面，各大存儲芯片廠商紛紛減產。鎧俠及美光率先在2022年第四季度啟動減產，三星于2023年第二季度跟進。截至2023年9月，三星削減NAND產量，減產幅度提升到50%，減產領域集中在128層以下制程；SK海力士下半年再減少NAND Flash產量5%~10%；鎧俠減少產能50%；美光NAND Flash產能減少30%。

從2023年下半年開始，市場出現積極變化。減產效應逐漸顯現，終端需求也逐步回暖，存儲芯片市場開始走出下行周期。從2023年10月到截止到2023年年底，現貨市場NAND Flash價格指數漲幅達40%。以三星、西部數據以及金士頓為代表的固態硬盤產品，價格顯著回升，回升幅度普遍在100元至130元之間。需求端數據同樣向好，2023年10月23日至11月3日期間，整體PC市場銷量同比上升1.4%，平板市場銷量同比增長13.5%，手機市場銷量同比增長10.2%%。

進入2024年，全球AI浪潮興起，成為推動存儲需求爆發的關鍵因素，疊加終端需求持續回暖，存儲芯片市場加速復蘇，行業景氣度攀升，價格上漲幅度擴大。2024年第一季度，存儲銷售額同比增長86%。DRAM芯片合約價格上漲多達20%，NAND Flash上漲多達23%~28%。到2024年第二季度，DRAM合約價季漲幅上修至13%~18%，NAND Flash合約價季漲幅同步上修至約15%~20%，延續強勁勢頭。行業頭部企業業績大幅增長，三星2024年第一季度營業利潤激增931%；SK海力士2024年第一季度盈利超150億元人民幣，而去年同期該公司還虧損136億元。

但到了2024年下半年，存儲芯片市場又發生了動蕩，從價格走勢來看，在上半年普遍上漲之后，下半年市場走向急轉直下，出現了明顯的價格回落。自2024年第三季度起，存儲價格逐季下滑，進入第四季度，這種跌勢愈發明顯，以消費類存儲產品為例，價格下跌幅度高達30%，企業級存儲產品價格也出現10%~20%的下滑。三星、美光、SK海力士、西部數據等企業繼續使用減產策略應對，使得DRAM和NAND市場價格連續下跌，尤其是成熟制程的DDR4和LPDDR4X產品，價格壓力極為突出。但HBM乘著GPU的東風狂漲500%，市場份額不斷擴大，LPDDR5x、DDR5等新一代存儲芯片的應用也在一定程度上緩沖了整體市場的下行壓力。

而長江存儲、長鑫存儲等國內廠商，憑借本土供應鏈響應優勢以及在部分技術領域的突破，在國內市場份額逐步提升，同時積極拓展海外市場，通過差異化競爭策略，在全球存儲芯片市場中分得一杯羹。

再到2025年，存儲市場逐漸進入復蘇期，專家認為，5年期間，存儲市場既有傳統周期性波動因素作用，又受到AI等新興需求的影響，雖短期內市場波動復雜難辨，但長期來看，存儲市場可能不會完全遵循過往典型的周期性規律，而是進入周期性與結構性變化交織的新階段，周期性特征或有所弱化或變形。

中國存儲企業迎來了發展新機遇

在存儲芯片市場新一輪漲價潮以及行業格局變動的大背景下，中國存儲企業迎來了諸多發展機遇，有望在市場份額拓展、技術創新和產業生態建設等方面實現突破，提升在全球存儲芯片市場中的競爭力。

市場份額拓展層面，國際存儲巨頭因減產推高價格，為中國企業打開了價格競爭空間。長江存儲憑借Xtacking技術，將存儲單元與控制電路分離制造，通過混合鍵合技術解決信號干擾與散熱難題，在提升芯片讀寫速度的同時，將生產成本降低約30%，這種“高性能+高性價比”組合使其在消費級SSD市場快速滲透，2024年全球NAND Flash市場份額從6%提升至9%。長鑫存儲則聚焦DRAM領域，其17nm DDR4產品已通過三星、聯想等頭部客戶認證，2024年DRAM出貨量同比增長55%，在全球市場份額突破5%。此外，國內廠商依托本土供應鏈響應優勢，在華為、小米等終端品牌的本土化配套需求中占據先機，華為2024年發布的Mate70系列手機中，長江存儲的UFS 3.1芯片搭載比例達60%，較2023年提升40%。

技術創新領域，兆易創新在Serial NOR Flash市場持續領跑，2024年通過近存計算技術研發，將芯片延遲降低至5ns以下，其車規級產品已進入比亞迪、蔚來等車企的供應鏈。佰維存儲則在先進封測領域發力，投資12億元建設的12英寸晶圓級封測產線投產，可實現HBM3E級別的256層芯片堆疊，2024年研發投入占比達18%，推動其AI服務器存儲解決方案收入同比增長210%。

存儲芯片市場的新一輪漲價潮，既是市場供需關系調整的結果，也是行業技術發展和應用拓展的體現，為存儲企業帶來了拓展市場份額、推動技術創新和完善產業生態的新機遇，同時也促使企業加大研發投入，提升技術創新能力，加強與產業鏈上下游企業的合作，共同應對市場的不確定性。